高溫環(huán)境下適用的4個(gè)類別的高溫振動(dòng)傳感器

江蘇萬(wàn)德儀表

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在高溫環(huán)境下，選擇合適的振動(dòng)傳感器需要考慮多個(gè)因素，包括傳感器的工作溫度范圍、材料的耐高溫性能、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的優(yōu)化以及降低熱噪聲的措施。根據(jù)提供的信息，以下是一些適合高溫環(huán)境的振動(dòng)傳感器類型及其特點(diǎn)：

?新型高溫振動(dòng)傳感器?：一款專門為高溫測(cè)試環(huán)境設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，工作溫度可達(dá)500C，采用特殊耐高溫壓電材料和金屬殼體，具有超低靈敏度溫度系數(shù)和低溫漂特性，以及方便的三角結(jié)構(gòu)和差分結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?。

?MEMS陀螺儀?：MEMS陀螺儀因其小巧、低功耗和低成本的特點(diǎn)，在高溫環(huán)境下具有一定的應(yīng)用潛力。然而，目前尚不能滿足在175C高溫條件下運(yùn)行的需求?。

?多晶硅高溫壓力傳感器?：這類傳感器一般可用于200C以內(nèi)的環(huán)境。它們采用多晶硅作為材料，通過(guò)特定的制備工藝實(shí)現(xiàn)電隔離，但存在熱應(yīng)力和高溫漏電流增大的問(wèn)題?。

?SOI高溫壓力傳感器?：SOI高溫壓力傳感器具有耐高溫特性，通過(guò)埋氧層隔絕壓敏電阻和硅襯底，避免了P-N結(jié)漏電問(wèn)題。與多晶硅高溫壓力傳感器相比，SOI襯底的漏電流更低，更適合研制高溫傳感器，但存在敏感壓阻層與襯底之間的鍵合方式、熱應(yīng)力和高溫漏電流增大等限制?。

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