沉積爐工藝流程

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沉積爐是用于制造半導體器件的重要設備，其工藝流程大致如下：

1.基片準備：首先，準備要用于沉積的基片（通常是硅片），必須先進行清洗和表面處理，以確保表面干凈和適合沉積。
2.裝載基片：清潔的基片被裝載到沉積爐的載具上，通常是通過機械手或者人工放置。
3.預處理：在進行實際的沉積之前，可能需要進行一些預處理步驟，例如加熱基片以去除殘留的水分或氧化層，以及預先引入某些化學物質以調控沉積過程中的條件。
4.沉積：主要沉積過程開始。這可能包括化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）等技術。在CVD中，通過將氣體化學物質引入沉積爐并加熱，使其在基片表面沉積固體薄膜。在PVD中，物質從固體源蒸發并在基片表面沉積。沉積過程中需要嚴格控制溫度、氣氛、流速和時間等參數，以確保所需的沉積薄膜質量和厚度。
5.冷卻和卸載：沉積完成后，基片通常會在一定的溫度條件下冷卻，以避免熱應力損傷。之后，基片可以從沉積爐中卸載。
6.后處理：沉積完成后的基片可能需要進一步的后處理步驟，如清洗、檢查和測試，以確保沉積膜的質量和一致性。

沉積爐的工藝流程因所使用的具體沉積技術、器件類型和工藝要求而有所不同，但以上步驟大致描述了一般的沉積爐工藝流程。

金多蝦

樓上的回答很專業，學習了。

體力-1

很小眾的設備，大部分人應該都沒見過

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學習下，感謝樓主分享